铝电解槽用碳化硅结合氮化硅砖
高抗冰晶石侵蚀性和增强的抗氧化性
应用
大型预焙电解槽侧壁的理想材料
产品描述
碳化硅（SiC）及氮化硅结合碳化硅（Si₃N₄-SiC）制品采用优质碳化硅和工业硅粉为原料，通过振动加压成型和分步高温氧化工艺烧制而成。该产品具有卓越的抗冰晶石侵蚀性、增强的抗氧化性、极端温度下的高强度、出色的导热性以及持久的使用寿命，是大型（180 kA）预焙电解槽侧壁的理想材料。与侧部碳块相比，可提高电流效率，降低直流电耗，并具有显著的节能效果。
理化指标
| 项目 | 侧墙砖 | 转角砖 | 复合砖 |
|---|---|---|---|
| SiC % ≥ | 72 | ||
| Si3N4 % ≥ | 20 | ||
| Fe2O3 % ≤ | 0.7 | ||
| 体积密度 g/cm3 ≥ | 2.65 | ||
| 显气孔率 % ≤ | 18 | ||
| CCS MPa ≥ | 150 | ||
| CMOR MPa ≥ | |||
| 常温 | 40 | ||
| 1200°С | 45 | ||
| 使用部位 | 用于铝电解槽侧壁 | 用铝电解槽转角处或填充修正旧槽侧部变形处 | 用于氮化硅结合碳化硅侧墙砖与炭块复合成一体砌筑于铝电解槽侧壁 |
复合砖用碳块
| 项目 | A | B | C |
|---|---|---|---|
| 体积密度 g/cm3 ≥ | 1.57 | 1.56 | 1.50 |
| 显气孔率 % ≤ | – | – | 22 |
| 真密度 g/cm3 ≥ | 1.83 | 1.89 | 1.94 |
| CCS MPa ≥ | 32 | 30 | 27 |
| CMOR MPa ≥ | – | – | 10 |
| 电阻率 uQ·m | 50 | 40 | 25 |
| 热膨胀系数 (25-525 °C) X10-6°C-1 | – | – | 3.0 |
| 导热系数1000°C W/ (m·k) | – | – | 14 |
| 灰分 % | 7 | 3.5 | 3.0 |